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网络分析仪的系统误差模型 网络分析仪的TSOM和USOM校准

在讲校准之前,先介绍一下网络分析仪的“系统误差模型”。如果你去看各种论文或书籍,都喜欢给你下面这张图,然后列一大堆公式,先把你搞晕,这个是传统的10项误差模型。也有文献叫12项误差模型,包含了2个isolation误差项,但是现代网分基本做得很好了,这个项可以忽略,故大部分都讲10项误差模型。


(资料图)

我们这是碎片时间阅读材料,就不讲这些复杂的方程组了!

我们就来看看下图的简化结构和误差模型吧,我们以测S21为例,实际测的是b2和a1的功率比b2-a1(为了方便,这里功率统一采用对数单位dBm),但是在图中可以看到,b2和a1是不能直接测到的,必须通过功分器在1端口的参考接收机通道测出a1’,然后在2端口的测量接收机通道测出b2’,因此(b2’-a1’)和(b2-a1)之间的差值,我们就定义为系统误差。

所谓校准,就是测量一组已知器件(即校准件或称标准件),根据仪器接收机实际测试的结果和已知校准件的特性比较,联列方程组,解出上述的误差项eij,从而为后续的测量提供修正。

这里需要对校准件做进一步说明,在同轴系统中,校准件通常是开路、短路、匹配和直通,但是由于现实中无法实现理想的开路、短路、匹配和直通,因此需要正确的标定校准件的“特征数据(characteristicdata)”,例如开路应该表征为一个寄生电容和一段传输线;短路表征为寄生电感和一段传输线,匹配一般表征为一个理想50欧姆,现代网络分析仪也可以对匹配的不理想性进行表征。如下图所示。

一般在校准件的附带的存储设备里面,都以文件形式定义,现在高端的校准件一般都会配备一个优盘,里面存着这套校准件的特征数据(一般每套校准件都有自己的***),严格讲每套校准件要和自己配套的特征数据配合使用。对于低频的同轴校准件,其差异性不是很大,所以大部分商用网络分析仪都内置了常见型号的校准件“特征数据”的典型值(typical)。

对于直通校准件,必须精确的表征(或者说“告诉”网络分析仪)其插损和电长度,严格来讲还需要知道其S11和S22,但是目前网络分析的模型都是把直通当一个理想50欧姆的有损传输线来处理的。

现代网络分析仪普遍采用了2N接收机架构,例如2端口网络分析仪的接收机数目为4,即每个端口都有自己的参考接收机和测量接收机,因此共有7个独立的误差项(即7个未知数),这样就不需要预先知道Thru校准件的参数了,只要保证Thru校准件互易(Reciprocal),只需列7个方程就能把校准完成。并且同时可以精确的测试出Thru校准件的插损和电长度。

基本上所有网络分析仪都支持传统的TOSM(有些厂商叫作SOLT-Short Open LoadThrough),使用这种方法的前提是----必须正确的定义Through的特征特征参数,就是说校准件的参数文件中必须包含Through的参数,而且必须要使用这个特定的Through,不能用别的Through或者转接头代替。

TOSM校准之后,直接测量Through的结果就是校准件模型中对应的“特征数据”(即优盘里存储的数据),有一定的插损和相位。这一点是需要注意的,很多使用者一直有一个认识的误区,认为这时候的插损应该是0,相位也是0,这是不正确的。

对于UOSM校准,校准后直接测量Through校准件,这时网络分析仪就把Through直接当成一个被测件来处理,测到的插损和相位就是这个校准件实际的特性。

值得一提的是,UOSM校准非常适合两端为不同接头类型的器件的测试。例如一个被测件的输入是N型接头,输出是SMA接头。在测试这种器件时,可以在网分的一端使用N型电缆,另一端使用SMA型电缆,校准的时候,可以在N型接头这边使用N型的Open、Short、Match校准件校准,在SMA型接头这边使用SMA的Open、Short、Match校准件。在校准Through的时候,使用任意一个质量较好的N-SMA转接头即可,校准完之后,参考面就是电缆的N型接头和SMA型接头的末端。因此UOSM校准方法也可以用于测试一些接头适配器和射频电缆。

另外UOSM还有一个优点,假设两个人,分别用不同的Thru(不一定要是校准件级别的,只要是正常的转接头即可)去校准,当然Open、Short、Match是一样的,最终的校准结果是一致的,因为根本不需要“告诉”仪器Thur的特征参数,Thru可以是任何互易的转接头。

首先这里要强调,用校准件去验证,实际测试的结果不是“理想”参数,而是校准件“特征数据”。

因此直接测试Open,并不是在史密斯圆图最右端开路位置的一圈点,而是一个沿等驻波比圆,向源(generator)方向的一条曲线。这是因为如图3中的开路校准件实际上是一个寄生电容串联一段有损传输线,对于不同频率传输线引起的相移(包括损耗)是不一样的,因此聚在一起的数百个扫频点,每个点的频率是不一样的,相移各不相同,就显示成一个曲线了,如果看S11的相位,也不是0度,原因同上。

同理如果测试Short校准件的S11,看到的也是在史密斯圆图左端短路点附近,沿等驻波比圆,向源(generator)方向的一条线,曲线的长度和扫频范围有关。

至于Match,由于目前的网络分析仪一般把它当作理想50欧姆匹配来处理的。所以校准完再次接上Match校准件,其反射系数非常低,一般能达到-60dB左右,这个值可以理解为“有效系统数据”即补偿后的剩余误差。值得注意的是,对于Match会有一个特殊的所谓“记忆(re-recognition)”现象,也就是说用某套校准件校准,如果还是测刚刚校准用的那个Match,反射系数可以到-60dB左右,如果换任何其他一套校准件中的Match,都不可能达到-60dB,一般只能达到-30dB左右。这主要是因为,低频段的网络分析仪都把Match当作理想50欧姆,校准算法仅仅根据当前测试的这个Match的结果来补偿,而实际上每个Match的物理特性都是略有差别的,因此换上另外的Match就不可能达到-60dB左右的反射系数。当然理想的50欧姆也是不可能实现的,这也是影响测量不确定度的一个因素,目前商用网络分析仪在测试反射系数,特别是反射系数特别小的器件的时候(-25dB到-35dB),不确定度一般都能达到2-3dB。

因此有必要再次强调,任何匹配校准件真实的S11(反射系数)达不到-60dB,一般只有-30到-40dB左右。在校准时,系统将它当作理想的匹配,就得到了-60dB这样低的结果。

现代网络分析仪也支持用S参数包来定义校准件,如果采用S参数包文件定义,校准后再测量Open,Short和Match,测量的结果就和S参数定义包里面的数据完全一样。特别指出这时候在用刚刚校准用的Match校准件接上去,一般也就是-30dB左右(和定义Match的S参数包文件一模一样),不再会出现-60dB的“记忆效应”现象。值得注意的是,目前的商用校准件通常只是对Open、Short、Match使用S参数包,对Through还是使用有损传输线的模型。这主要是由于传输线模型已经能比较精确的描述其特性了,由于Through是2端口器件,必须是有S2P文件,而如果用了S2P文件,文件的参数必须和校准件的连接的方向有关,而实际中也不方便规定校准的时候Through的连接方向。

TOSM校准完之后,Through校准件不拿掉,直接测试S11或S22,此时测得的是有效负载匹配(可以当做接近理想50欧姆)串联一段有损传输线的结果,如下图所示,是在史密斯原图中心匹配点附近的一个小圆圈,随着频率的变化呈现一定的复数阻抗特性,逐步偏离50欧姆原点。由于Through校准件是当作理想50欧姆的有损传输线来处理的,没有考虑Through本身的S11反射,这个值换算成反射系数用dB表示仍然很小,一般网络分析仪在8GHz以下,仍然有-50dB左右。

当然,如果校准件采用的S参数包文件,这时候的试S11或S22一般也只能到-30dB左右。

TOSM校准在测量直通时,仍然要测试S11和S22,并对其补偿,因此校准之后,对当前使用的这个Through校准件也有所谓“记忆(re-recognition)”现象,此时换成另外任何一个Through之后,都不可能达到-50dB的回波损耗的,甚至仅仅把当前这个Through换一个方向连接,也达不到-50dB这个量级。

但是USOM对Through的S11和S22没有做测量和补偿,Through甚至是未知的,更没有把它描述为一个理想有损传输线,因此就没有所谓的“记忆(re-recognition)”现象。校准完之后,直接测试Through,其S11和S22就是这个Through本身的端口反射系数,一般在-30dB以下。但是这才是合理的,TOSM校准后的结果实际上是“记忆(re-recognition)”效应的结果,是过于理想化的仪器的剩余误差,不能反映校准件和系统的真实特性。

虽然UOSM校准之后,直接测试校准件的结果没有TOSM那么理想,但是UOSM才是更精确的校准方法,其结果更能真实的反映校准件的特性。

总而言之就是:UOSM校准以及S参数包定义的校准件模式,校准后直接用校准件验证的结果更接近真实情况,但是结果不是那么好看。

TOSM校准(并且在没有正确定义thru的情况下)以及理想的match校准件定义模式下,直接用校准件验证的结果过于理想,但是很讨人喜欢,具有一定迷惑性!

审核编辑:汤梓红

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